PECVD管式爐配有等離子射頻電源，開啟式管式爐（帶有真空法蘭和連接管道）及一個直聯(lián)式雙旋機械泵。此套設(shè)備模型可組合為不同類型的PECVD系統(tǒng)，且設(shè)備性價較為理想。
PECVD管式爐的爐體結(jié)構(gòu)：
采用雙層殼體結(jié)構(gòu)，并帶有風(fēng)冷系統(tǒng)。
·爐膛采用高純多晶氧化鋁纖維，更大程度的減少能量損失。
·內(nèi)爐膛表面涂有美國進口1750度高溫氧化鋁涂層可以提高反射率及設(shè)備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命。
·可選購移動爐架，方便爐體的移動。
·產(chǎn)品特點：
?射頻電源可實現(xiàn)等離子增強從而顯著降低實驗溫度；
?整套設(shè)備尺寸小巧；
?可通過工藝調(diào)節(jié)來控制化學(xué)計量；
?可通過射頻電源的頻率來進行控制薄膜的應(yīng)力。
PECVD管式爐的主要用途：
1、利用等離子體聚合法可以容易地形成與光的波長同等程度的膜厚。這樣厚度的膜與光發(fā)生各種作用，具有光學(xué)功能性。即：具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用。由于這種性質(zhì)的存在，低溫沉積Si3N4減反射膜，以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
2、用于集成光電子器件介質(zhì)SiYNX膜的制備，如半導(dǎo)體集成電路的襯底絕緣膜、多層布線間絕緣膜以及表面純化膜的生長。
3、在電子材料當(dāng)中可制成無針孔的均一膜、網(wǎng)狀膜、硬化膜、耐磨膜等。
4、在半導(dǎo)體工藝中不僅用于成膜，而且用于刻蝕，也是一個較為理想的設(shè)備，它可刻0.3μm以下的線條。
